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    • 专利摘要:
    一種施體基板包含基底層、位於基底層上之光熱轉換層、位於光熱轉換層上之中間層、位於中間層上之低分子量轉移層及位於低分子量轉移層上之有機轉移層。低分子量轉移層係包含第I族之元素或第I族及第VII族之元素之化合物。
    公开号:TW201310741A
    申请号:TW101121043
    申请日:2012-06-13
    公开日:2013-03-01
    发明作者:Ha-Jin Song；Sang-Woo Pyo；Byeong-Wook Yoo；Hyo-Yeon Kim；Ji-Young Kwon；Kwan-Hee Lee
    申请人:Samsung Display Co Ltd；
    IPC主号:H01L51-00
    专利说明:
    施體基板、製造施體基板之方法、有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法
    相關申請案的交互參照
    本申請案主張2011年8月26日向韓國智財局(KIPO)提出之韓國專利申請號10-2011-0085652之優先權，其全部內容於此納入作為參考。
    範例實施例係關於一種施體基板、製造施體基板之方法、有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法。範例實施例係關於一種用於轉移有機發光顯示裝置之有機層的施體基板、製造此施體基板之方法、利用此施體基板所製造之有機發光顯示裝置以及利用此施體基板製造有機發光顯示裝置之方法。
    有機發光顯示(organic light emitting display, OLED)裝置可利用於有機層中藉著由陽極提供之電洞與由陰極提供之電子之結合所產生的光而顯示期望之資訊，例如影像、文字及/或字符。
    為了形成有機發光顯示裝置之有機層，係已運用利用噴墨、旋塗或噴嘴之印刷製程、於沉積層後之圖樣化製程、以及利用熱或雷射之轉移製程。例如，因為有機層可由相對簡單的步驟或製程而精細地圖樣化，雷射引發熱成像(laser induced thermal imaging, LITI)製程已被廣泛使用於形成有機層。
    關於雷射引發熱成像製程，從光源所產生之光可被施體基板之光熱轉換層吸收，以使得光能可轉換成熱能或熱。轉移層可藉由熱能或熱而轉移至預定裝置基板上。
    然而，轉移層可能因熱能或熱受損。再者，轉移層可能不易從施體基板脫落或分離，以至於轉移層可能無法精確地轉移至裝置基板之預定區域上。
    範例實施例係提供一種用於有效地轉移有機層而同時改善電子和物理特性之施體基板。
    範例實施例係提供一種製造用於有效地轉移有機層確保改善電子和物理特性之施體基板之方法。
    範例實施例係提供一種包含具有改善電子和物理特性之有機層之有機發光顯示裝置。
    範例實施例係提供一種製造包含具有改善電子和物理特性之有機層之有機發光顯示裝置之方法。
    根據範例實施例，其提供一種施體基板。施體基板可包含基底層、位於基底層上之光熱轉換層、位於光熱轉換層上之中間層、位於中間層上之低分子量轉移層以及位於低分子量轉移層上之有機轉移層。低分子量轉移層可包含第I族之元素或第I族及第VII族之元素之化合物。
    於範例實施例中，低分子量轉移層可包含鋰(Li)、鈉(Na)、銫(Cs)、鉀(K)、氟化鋰(LiF)、氟化鉀(KF)、氟化銫(CsF)、碘化鋰(LiI)或碘化鉀(KI)。這些可單獨使用或以其混合使用。
    於範例實施例中，中間層可包含具有親水性之經處理之上表面。藉由偶極作用或靜電吸引，低分子量轉移層可與中間層經處理之上表面結合。
    根據範例實施例，其提供一種有機發光顯示裝置。有機發光顯示裝置可包含位於下基板上之第一電極、位於第一電極上之電洞傳輸層、位於電洞傳輸層上之發射層、位於發射層上之低分子量層、位於低分子量層上之電子傳輸層以及位於電子傳輸層上之第二電極。低分子量層可包含第I族之元素或第I族及第VII族之元素之化合物。
    於範例實施例中，低分子量層可包含鋰、鈉、銫、鉀、氟化鋰、氟化鉀、氟化銫、碘化鋰或碘化鉀。這些可單獨使用或以其混合使用。
    於範例實施例中，低分子量層可具有約3埃至約100埃之厚度。
    根據範例實施例，其提供一種製造施體基板之方法。於此方法中，光熱轉換層可形成於基底層上。中間層可形成於光熱轉換層上。包含紫外光處理或電漿處理之表面處理可執行於中間層上，以形成中間層經處理之上表面。低分子量轉移層可利用低分子量材料形成於中間層經處理之上表面上。低分子量材料可包含第I族之元素或第I族及第VII族之元素之化合物。有機轉移層可形成於低分子量轉移層上。
    於範例實施例中，低分子量轉移層可包含鋰、鈉、銫、鉀、氟化鋰、氟化鉀、氟化銫、碘化鋰或碘化鉀。這些可單獨使用或以其混合使用。
    於範例實施例中，低分子量轉移層可經由真空蒸鍍製程或濺鍍製程而形成。
    於範例實施例中，中間層經處理之上表面可具有親水性，且經處理之上表面可具有懸空鍵(dangling bonds)。
    於範例實施例中，低分子量材料可經由偶極作用或靜電吸引而與懸空鍵結合。
    於範例實施例中，於紫外線處理或電漿處理前，可於中間層上額外執行熱處理。
    於範例實施例中，熱處理可執行於約60℃至約150℃之溫度下。
    根據範例實施例，其提供一種製造有機發光顯示裝置之方法。於此方法中，可製備包含第一電極及部份地暴露第一電極之像素定義層之裝置基板。可形成包含基底層、光熱轉換層、中間層、低分子量轉移層及有機轉移層之施體基板。低分子量轉移層可包含第I族之元素或第I族及第VII族之元素之化合物。施體基板可配置於裝置基板上，以使有機轉移層可面向裝置基板之第一電極。雷射光束可照射於施體基板上以轉移低分子量轉移層及有機轉移層之一部份於暴露之第一電極上，以從而形成依序地堆疊於暴露之第一電極上之有機層及低分子量層。電子傳輸層可形成於低分子量層上。第二電極可形成於電子傳輸層上。
    於範例實施例中，中間層可包含具有親水性之經處理之上表面。經由偶極作用或靜電吸引，低分子量轉移層可與中間層經處理之上表面結合。
    於範例實施例中，於製備裝置基板後，更可在像素定義層及暴露之第一電極上形成電洞傳輸層。有機層可形成於電洞傳輸層之一部份上及像素定義層之側壁上。有機層可對應於有機發光顯示裝置之發射層。
    於範例實施例中，有機轉移層可包含形成於低分子量轉移層上之發射層及形成於發射層上之電洞傳輸層。
    於範例實施例中，有機層可形成於暴露之第一電極上及像素定義層之側壁上，且低分子量層可形成於有機層及像素定義層之側壁上。
    於範例實施例中，電子傳輸層可藉由雷射引發熱成像(laser induced thermal imaging, LITI)製程、噴嘴印刷(nozzle printing)製程、噴墨印刷(inkjet printing)製程或壓印(imprinting)製程而形成。
    於範例實施例中，有機層、低分子量層及電子傳輸層可由凹槽所界定。凹槽可藉由暴露之第一電極及像素定義層之側壁所定義。
    根據範例實施例，熱處理、電漿處理及/或紫外線處理可執行於施體基板之中間層上，以使得中間層之表面性質可改善。因此，形成於中間層上之有機轉移層可具有改善之表面性質。進一步地，有機轉移層可以少量能量而輕易地轉移至裝置基板上。此外，包含第I族之元素或第I族及第VII族之化合物之低分子量轉移層可形成於中間層與有機轉移層之間，以使得有機轉移層可更輕易地從中間層上脫落或轉移至裝置基板上。再者，可加強有機轉移層之電子特性。
    以下各種範例實施例將參照其中繪示一些範例實施例的附圖而作更完整的說明。然而，本實施例可以許多不同形式實施且不應詮釋為以本說明書所載的範例實施例為限。相反地，提供此些實施例是為了使本說明書將徹底且完整，並將充分傳遞本實施例的範疇予本領域具有通常知識者。於圖式中，層和區域之尺寸及相對尺寸可為清晰而誇大。
    將理解的是，當一元件或層被稱為在另ㄧ元件或層“上(on)”、“連接於(connected to)”或“耦合於(coupled to)”另一元件或層時，其可直接地位於其他元件或層上，連接於或耦合於另一元件或層，或可存在中介元件或層。相反地，當一元件被稱為“直接地於另ㄧ元件或層上(directly on)”、“直接地連接於(directly connected to)”或“直接地耦合於(directly coupled to)”另一元件或層時，則不存在中介元件或層。全文中相同的參考符號表示相同的元件。當在此使用時，詞彙“及/或(and/or)”包含一或多個相關條列項目之任何及所有組合。
    將理解的是，雖然詞彙“第一”、“第二”、“第三”等可用於此以表示不同之元件、組件、區域、層及/或區段，此些元件、組件、區域、層及/或區段應不受這些詞彙所限。這些詞彙僅用以從另一區域、層或區段來區分一元件、組件、區域、層或區段。因此，在不脫離本實施例之教示下，以下討論之第一元件、組件、區域、層或區段可稱為第二元件、組件、區域、層或區段。
    空間相對詞彙，例如“下(beneath)”、“下(below)”、“下(lower)”、“上(above)”、“上(upper)”等為了便於說明在此可用以描述圖式中繪示之元件或特徵與另一元件或特徵之關係。將理解的是，除了圖式所示之定向，空間相對詞彙係旨在涵蓋裝置使用或操作中的不同定向。舉例來說，若翻轉圖式中之裝置，被描述位於其他元件或特徵之“下(beneath)”或“下(below)”之元件，將進而定位於其他元件或特徵之“上(above)”。因此，範例詞彙“下(below)”可包含上及下兩定向。裝置可以其他方式定向(旋轉90度或其他定向)，且在此使用之空間相對描述係作相對應地解釋。
    在此使用之用語係僅用以描述特定範例實施例之目的，且非旨在限制本實施例。當在此使用時，除非內文明確地另行描述，否則“一(a)”、“一(an)”、“此(the)”之單數型式亦旨在包含複數型式。將進一步理解的是，當詞彙“包含(comprises)”及/或“包含(comprising)”用於說明書中時，係表明所述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件的存在，但並不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組的存在或增加。
    範例實施例在此係參閱剖面圖而說明，其係理想範例實施例之示意圖(及其中間結構)。如此，舉例來說，作為製造技術及/或公差之結果而與所示之形狀之差異係被預期。因此，範例實施例應不詮釋為受限於在此所示之區域之特定形狀，而包含例如來自製造結果之形狀差異。舉例來說，繪示為矩形之摻雜區域通常將具有圓形或曲形特徵及/或於邊緣之摻雜濃度梯度而非從摻雜至非摻雜區域之二分法變化。同樣地，以摻雜所形成之埋植區域可造成介於埋植區域與摻雜進行之表面之間之區域之一些摻雜。因此，圖式所示之區域係為自然示意且其形狀並不旨在繪示裝置區域之實際形狀，且並不旨在限制本實施例之範疇。
    除非另行定義，在此使用之所有詞彙(包含技術及科學上之詞彙)具有如本實施例所屬領域具有通常知識者所一般理解之相同意義。更將理解的是，例如在常用字典中定義之詞彙應解釋為具有與相關領域內容之意義相符之意義，且除非在此解釋以定義，否則將不予以理想化或過度正式地詮釋。
    第1圖係為根據範例實施例繪示施體基板之橫切面圖。
    參閱第1圖，施體基板10可包含基底層20、光熱轉換(light to heat conversion, LTHC)層30、中間層40、低分子量轉移層50 (以下，稱為LMT層)及有機轉移層60。
    基底層20可為完全透明以用於傳輸光至光熱轉換層30。此外，基底層20可具有預定機械強度以作為支撐層。舉例而言，基底層20可包含透明聚合物，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate, PET)系樹脂、聚丙烯醯(polyacryl)系樹脂、聚環氧(polyepoxy)系樹脂、聚乙烯(polyethylene)系樹脂、聚苯乙烯(polystyrene)系樹脂、聚亞醯胺(polyimide)系樹脂、聚碳酸酯(polycarbonate)系樹脂、聚醚(polyether)系樹脂、聚丙烯酸酯(polyacrylate)系樹脂等。這些可單獨使用或以其組合使用。另外，基底層20可包含玻璃、石英或其他透明陶瓷材料。
    光熱轉換層30可設置於基底層20上。光熱轉換層30可吸收具有紅外線-紫外線(IR-UV)波長之光，以轉換光成熱能。因此，光熱轉換層30可包含具有預定光密度及所需吸光率之材料。舉例來說，光熱轉換層30可包含金屬，例如鋁(Al)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、銅(Cu)、釩(V)、鉭(Ta)、鈀(Pd)、釕(Ru)、銥(Ir)、金(Au)、銀(Ag)或鉑(Pt)；這些金屬的氧化物；這些金屬的硫化物；碳黑；石墨；含有吸光材料如紅外染料等的聚合物。這些可單獨使用或以其組合使用。光熱轉換層30可具有含有上述提及材料的單層結構或多層結構。
    中間層40可設置於光熱轉換層30上。中間層40可防止低分子量轉移層50及/或有機轉移層60被光熱轉換層30之光吸收材料所污染。舉例而言，中間層40可包含丙烯醯樹脂(acryl resin)或醇酸樹脂(alkyd resin)。
    於範例實施例中，中間層40可具有上表面40a，其可由包含熱處理、紫外線處理及/或電漿處理之表面處理而處理。上表面40a可經由熱處理而確保增進之表面均勻性，或可經由紫外線處理或電漿處理而具有親水性。
    低分子量轉移層50可設置於中間層40上。於範例實施例中，低分子量轉移層50可具有包含第I族之元素或第I族及第VII族之元素的化合物之低分子量材料。舉例來說，低分子量轉移層50可包含鋰(Li)、鈉(Na)、銫(Cs)、鉀(K)、氟化鋰(LiF)、氟化鉀(KF)、氟化銫(CsF)、碘化鋰(LiI)或碘化鉀(KI)等。這些可單獨使用或以其混合使用。於範例實施例中，低分子量轉移層50可具有約3埃至約100埃之厚度。
    於範例實施例中，中間層40之上表面40a經由紫外線處理及/或電漿處理可具有親水性，以使得上表面40a可藉由微弱偶極作用及/或靜電吸引與暴露在低分子量轉移層50之表面的低分子量材料結合。
    有機轉移層60可設置於低分子量轉移層50上。有機轉移層60可對應於有機發光顯示裝置之發射層(EML)。有機轉移層60可額外包含有機發光顯示裝置之光學有機層，例如電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)等。有機轉移層60可具有包含上述有機層之其中之一的單層結構，或包含有機層之其中至少二個的多層結構。根據所包含之有機層之類型，有機轉移層60可包含適合材料。
    發射層可包含至少一種發光材料，以產生不同色彩之光，例如紅色光、綠色光或藍色光。於一些範例實施例中，發射層為了產生白色光可包含發光材料之混合。於一些範例實施例中，發光材料可作為發射層之摻雜材料。在此情況中，發射層更可包含基質材料。根據發射層之發光機制，例如螢光機制或磷光機制，可選擇適合的摻雜物及基質材料。
    當發射層產生紅色光時，舉例來說，發射層可包含例如Alq3(基質)/DCJTB(螢光摻雜物)、Alq3(基質)/DCM(螢光摻雜物)或CBP(基質)/PtOEP(磷光有機金屬複合物)之低分子量材料，以及例如PFO(聚(9,9-二辛基芴)(poly(9,9-dioctylfluorene)))系聚合物、PPV(聚(對位苯基乙烯)(Poly(p-phenylene vinylene)))系聚合物之聚合物等。在發射層中產生綠色光的情況下，發射層可包含如Alq3(基質)/C545t(摻雜物)或CBP(4,4'-雙(咔唑-9-基)聯苯(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl))(基質)/IrPPy(磷光有機金屬複合物)之低分子量材料，以及如PFO系聚合物、PPV系聚合物之聚合物等。當發射層產生藍色光時，發射層可包含例如DPVBi、螺(spiro)-DPVBi、螺(spiro)-6P、DSB或DSA之低分子量材料，以及例如PFO系聚合物、PPV系聚合物之聚合物等。
    電洞注入層可包含TCTA (三(4-咔唑基-9-苯)胺(Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine))、m-MTDATA(4,4'，4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯胺基)三苯胺(4,4',4''-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)triphenylamine))、m-MTDAPB (1,3,5-三[4-(3-甲基苯基苯胺基)苯基]甲苯(1,3,5-tris[4-(3-methylphenylphenylamino)phenyl]benzene))、2-TNATA(4,4',4"-三(N-(2-萘基)-N-苯基-胺基)-三苯胺(4,4',4"-Tris(N-(2-naphthyl)-N-phenyl-amino)-triphenylamine))等。電洞傳輸層可包含NPB、TPD、α-NPD、N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)、聚乙烯咔唑(polyvinylcarbazole)等。電子傳輸層可包含Alq、PBD、TAZ、紅螢烯(rubrene)等。電子注入層可包含例如Alq3、鎵複合物或PBD之低分子量材料，或者例如惡二唑(oxadiazole)系聚合物之聚合物。
    第2圖至第4圖係為根據範例實施例繪示製造施體基板之方法之橫切面圖。
    參閱第2圖，光熱轉換層30及中間層40可依序地形成於基底層20上。
    基底層20可利用透明聚合物而形成，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯系樹脂、聚丙烯醯系樹脂、聚環氧類系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚亞醯胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醚系樹脂、聚丙烯酸酯系樹脂等。這些可單獨使用或以其混合使用。另外，玻璃層或石英層可採用作為基底層20。
    光熱轉換層30可利用金屬、金屬氧化物、金屬硫化物、碳黑、石墨或含有如紅外染料之光吸收材料的聚合物所形成。金屬之例子可包含鋁、鎳、鉬、鈦、鋯、銅、釩、鉭、鈀、釕、銥、金、銀、鉑等。當光熱轉換層30包含金屬、金屬氧化物、金屬硫化物、碳塊或碳黑時，光熱轉換層30可藉由真空蒸鍍(vacuum evaporation)製程、電子束蒸鍍(electron beam evaporation)製程或濺鍍(sputtering)製程等而獲得。當光熱轉換層30包含聚合物時，光熱轉換層30可藉由像是輥塗佈(roll coating)製程、擠壓塗佈(extrusion coating)製程、旋轉塗佈(spin coating)製程、刮刀塗佈(knife coating)製程等塗佈製程而獲得。光熱轉換層30可具有單層結構或多層結構。
    經由沈積丙烯醯樹脂或醇酸樹脂於光熱轉換層30上，可於光熱轉換層30上形成中間層40。舉例而言，中間層40可藉由真空蒸鍍製程、熱蒸鍍(thermal evaporation)製程、狹縫塗佈(slit coating)製程、旋轉塗佈製程等而獲得。
    參閱第3圖，中間層40之上表面40a可藉著表面處理而處理，例如熱處理、紫外線處理及/或電漿處理。
    經由表面處理，在中間層40之上部份形成聚合物之一些鍵結或鍵鏈可能被打斷或損壞，因此產生鍵結缺損處。此外，懸空鍵40b可暴露於中間層40之上表面40a上，使得中間層40之上表面40a可被修飾以確保親水性。
    於一些範例實施例中，在紫外線處理或電漿處理之前，可於中間層40上執行熱處理。經由熱處理，可將可能發生在中間層40之上表面40a之不規則處或不均勻處移除，例如突起及/或孔洞。因此，中間層40之上表面40a可具有均勻的表面形態。如此一來，陸續地形成於中間層40上之低分子量轉移層50及有機轉移層60(見第4圖)亦可具有均勻的表面形態。因此，利用包含低分子量轉移層50及有機轉移層60之施體基板所製造之有機發光顯示裝置可具有均勻的亮度及增強的電子特性。
    於一些範例實施例中，熱處理可於含有惰性氣體如氮氣(N2)或氬氣(Ar)之大氣或真空大氣下進行，以防止中間層40捕獲環境氣體中之原子或雜質。
    於範例實施例中，熱處理可執行於約60℃至約150℃之處理溫度下。當熱處理之處理溫度少於約60℃時，不規則處或不均勻處可能無法充分地整治。在處理溫度超過約150℃的情況下，中間層40可能經由熱處理而受損或轉化而減少其表面之均勻性。
    參閱第4圖，低分子量轉移層50及有機轉移層60可依序形成於中間層40上。
    於範例實施例中，利用含有第I族之元素或第I族和第VII族之元素之化合物之低分子量材料，例如鋰、鈉、銫、鉀、氟化鋰、氟化鉀、氟化銫、碘化鋰或碘化鉀等，可形成低分子量轉移層50。經由真空蒸鍍製程或濺鍍製程可獲得低分子量轉移層50。如第3圖所示，懸空鍵40b可暴露於中間層40經處理之上表面40a上，使得藉由偶極作用或靜電吸引，低分子量材料及懸空鍵40b其間可形成相對弱的鍵結。低分子量轉移層50可具有相對薄的厚度。於範例實施例中，低分子量轉移層50可具有從約3埃至約100埃之厚度。
    有機轉移層60可形成於低分子量轉移層50上。有機轉移層60可對應於有機發光顯示裝置之發射層。有機轉移層60更可包含有機發光顯示裝置之光學有機層。舉例而言，有機轉移層60可額外包含電洞傳輸層、電洞注入層、電子注入層、電子傳輸層等。根據所包含之有機層之類型，有機轉移層60可利用合適的材料而形成。有機轉移層60可藉由真空蒸鍍製程、旋轉塗佈製程、熱蒸鍍製程等而獲得。
    用以形成發射層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層及電子傳輸層之材料可實質上與參照第1圖所述的相同。因此，在此省略其詳細說明。
    根據範例實施例，低分子量轉移層50可形成於有機轉移層60與中間層40之間。藉由偶極作用或靜電吸引，低分子量轉移層50可與中間層40之表面形成相對弱的鍵結。因此，在執行轉移製程例如雷射引發熱成像製程時，藉由相對低的能量或電源功率，低分子量轉移層50可輕易地從中間層40分離或脫落，以使得低分子量轉移層50與有機轉移層60可一起被轉移至裝置基板上。因此，在雷射引發熱成像製程期間可防止由熱能所產生之有機轉移層60的熱損壞或排氣。
    第5圖係為根據範例實施例繪示有機發光顯示裝置之橫切面圖。
    參閱第5圖，有機發光顯示裝置可包含下基板110、第一電極120、像素定義層130 (pixel defining layer, PDL)、電洞傳輸層140、低分子量層160、發射層150、電子傳輸層170以及第二電極180。
    下基板110可包含透明基板，例如玻璃基板、石英基板、透明塑膠基板等。下基板110可包含具有源極電極及汲極電極、絕緣結構等之開關裝置(圖未示)。此開關裝置可具有薄膜電晶體(thin film transistor, TFT)結構或氧化物半導體裝置。
    第一電極120可設置於下基板110上。第一電極120可包含透明導電材料，例如，氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)、氧化鋅錫(zinc tin oxide, ZTO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide, IZO)、氧化鋅(zinc oxide, ZnOx)、氧化錫(tin oxide, SnOx)等。於範例實施例中，第一電極120可電性連接至開關裝置之汲極電極。第一電極120可作為提供電洞至電洞傳輸層140之陽極。
    像素定義層130可設置於第一電極120上以部份地暴露第一電極120之表面。因此，可定義有機發光顯示裝置之像素區域I及非像素區域II。像素定義層130可包含感光材料，例如丙烯醯系樹脂、聚亞醯胺、苯並環丁烯(benzocyclobutene, BCB)等。另外，像素定義層130可包含非感光材料或無機材料。
    電洞傳輸層140可設置於像素定義層130及暴露之第一電極120上。電洞傳輸層140可包含，例如，NPB、TPD、α-NPD、N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑或這些材料的混合。
    於一些範例實施例中，電洞注入層可額外設置於電洞傳輸層140之下。電洞注入層可包含，例如，TCTA、m-MTDATA、m-MTDAPB、2-TNATA或這些材料的混合。
    發射層150可設置在像素區域I中之電洞傳輸層140上。發射層150可包含至少一種發光材料以用於產生不同色彩之光，例如紅色光、綠色光或藍色光。於一些範例實施例中，發射層150可包含發光材料之混合以產生白色光。發光材料可作為發射層150之摻雜物。在此情況下，發射層150更可包含具相對大的能帶間隙(band gap)之基質材料。
    低分子量層160可設置於發射層150上。低分子量層160可包含含有第I族之元素或第I族及第VII族之元素之化合物之低分子量材料，例如鋰、鈉、銫、鉀、氟化鋰、氟化鉀、氟化銫、碘化鋰或碘化鉀等。於範例實施例中，低分子量層160可具約3埃至約100埃之厚度。
    電子傳輸層170可設置於低分子量層160及非像素區域II中之電洞傳輸層140之一部份上。電子傳輸層170可包含，如Alq、PBD、TAZ、紅螢烯或這些材料的混合。
    第二電極180可設置於電子傳輸層170上。第二電極180可包含透明導電材料，例如氧化銦錫、氧化鋅錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化錫等。於範例實施例中，第二電極180可作為提供電子至電子傳輸層170之陰極。
    於一些範例實施例中，電子注入層更可設置於電子傳輸層170與第二電極180之間。電子注入層可包含如Alq3、鎵複合物或PBD之低分子量材料，或者如惡二唑系聚合物之聚合物。
    保護層(圖未示)及上基板(圖未示)可設置於第二電極180上。各保護層及上基板可包含透明絕緣材料。
    根據範例實施例，低分子量層160可設置於發射層150與電子傳輸層170之間。低分子量層160可包含第I族之元素或第I族及第VII族之元素之化合物，且因此低分子量層160可具有與電子傳輸層或電子注入層實質上相似之最低未佔分子軌域(lowest unoccupied molecular orbital, LUMO)能量、以及實質上低於電子傳輸層或電子注入層之最高佔有分子軌域(highest occupied molecular orbital, HOMO)能量之能帶間隙(band gap)能量。因此，低分子量層160可促進電子傳輸，並可阻擋電洞傳輸。因此，可改善於發射層150與電子傳輸層170之間之界面的電子特性。
    第6圖係為根據一些範例實施例繪示有機發光顯示裝置之橫切面圖。除了電洞傳輸層之形狀以外，第6圖中所繪示之有機發光顯示裝置可具有與參照第5圖所述之有機發光顯示裝置實質上相同或相似之結構。因此，相同的參考符號表示相同的元件，且其詳細描述係予於省略。
    參照第6圖，電洞傳輸層140a、發射層150a及低分子量層160a可依序地設置於第一電極120之暴露部份上及像素定義層130之側壁上。舉例而言，電洞傳輸層140a可選擇性設置於像素區域I。
    第7圖係為根據一些範例實施例繪示有機發光顯示裝置之橫切面圖。除了電子傳輸層之形狀以外，第7圖中所繪示之有機發光顯示裝置可具有與參照第6圖所述之有機發光顯示裝置實質上相同或相似之結構。因此，相同的參考符號表示相同的元件，且其詳細描述係予於省略。
    參照第7圖，電洞傳輸層140b、發射層150b、低分子量層160b及電子傳輸層175可依序地設置於第一電極120之暴露部份上及像素定義層130之側壁上。舉例而言，包含電洞傳輸層140b、發射層150b、低分子量層160b及電子傳輸層175之有機發光結構可藉由設置於像素區域I之像素定義層130而界定。在這種情況下，第二電極180可設置於像素定義層130及電子傳輸層175上。有機發光結構更可包含位於第一電極120與電洞傳輸層140b之間之電洞注入層(圖未示)。有機發光結構也可包含位於電子傳輸層175與第二電極180之間之電子注入層(圖未示)。
    第8圖至第11圖係為根據範例實施例繪示製造有機發光顯示裝置之方法之橫切面圖。
    參照第8圖，可準備包含下基板110、形成於下基板110上之第一電極120及部份地暴露第一電極120之像素定義層130的裝置基板100。電洞傳輸層140可形成於像素定義層130上及暴露之第一電極120上。
    下基板110可為透明基板，如玻璃基板、石英基板、透明塑膠基板等。下基板110可包含具有源極電極及汲極電極、絕緣結構等之開關裝置(圖未示)。開關裝置可具有薄膜電晶體或氧化物半導體裝置。
    第一電極120可利用透明導電材料而形成，例如氧化銦錫、氧化鋅錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化錫等。第一電極120可藉由濺鍍製程、原子層沈積(atomic layer deposition, ALD)製程、真空蒸鍍製程、印刷製程等而獲得。第一電極120可電性連接至開關裝置之汲極電極。
    包含例如丙烯醯系樹脂、聚亞醯胺或苯並環丁烯之感光材料層可形成於第一電極120上。藉由曝光製程和顯影製程，感光材料層可被部份地移除，以形成像素定義層130。於一範例實施例中，非感光有機層或無機材料層可形成於第一電極120上，並可部份地蝕刻以形成像素定義層130。
    藉著像素定義層130可定義有機發光顯示裝置之像素區域I及非像素區域II。於範例實施例中，藉由像素定義層130所暴露之第一電極120可位於像素區域I，且像素定義層130及第一電極120之一部份可位於非像素區域II中。
    電洞傳輸層140可使用電洞傳輸材料，例如NPB、TPD、α-NPD、N-苯基咔唑或聚乙烯咔唑藉由真空蒸鍍製程、熱蒸鍍製程、狹縫塗佈製程、旋轉塗佈製程等而形成。
    於一些範例實施例中，在形成電洞傳輸層140之前，電洞注入層(圖未示)可形成於像素定義層130及暴露之第一電極120上。在此情況下，電洞傳輸層140可形成於電洞注入層上。電洞注入層可利用例如TCTA、m-MTDATA、m-MTDAPB或2-TNATA藉由真空蒸鍍製程、熱蒸鍍製程、狹縫塗佈製程、旋轉塗佈製程等而形成。
    參照第9圖，經由實質上相同或相似於參照第2圖至第4圖所述之製程所獲得之施體基板10可配置或疊壓至裝置基板100上，以使有機轉移層60可實質上面向裝置基板100之第一電極120。於範例實施例中，有機轉移層60可包含有機發光顯示裝置之發射層。
    參照第10圖，藉由如雷射引發熱成像製程，低分子量轉移層50及有機轉移層60之一部份可轉移至裝置基板100上。舉例而言，雷射光束可依箭頭所示照射至施體基板10，以使得實質上重疊裝置基板100之像素區域I之低分子量轉移層50及有機轉移層60之一部份可轉移至電洞傳輸層140上。因此，發射層150及低分子量層160可依序地形成於像素區域I中之電洞傳輸層140之一部份上。
    雷射光束可選擇性照射至施體基板10實質上重疊於裝置基板100之像素區域I之區域。於範例實施例中，雷射光束可利用包含可分別重疊像素區域I及非像素區域II之透明區域及阻擋區域的遮罩(圖未示)而照射。
    藉由光熱轉換層30，雷射光束可轉換成熱能，且熱能可轉移至中間層40。如上所述，經由微弱偶極作用或靜電吸引，低分子量轉移層50可與具有經處理之上表面40a的中間層40結合。因此，經由相對弱的能量或小的雷射電源功率，低分子量轉移層50可輕易地從中間層40脫落或分離，從而與有機轉移層60一起轉移至裝置基板100上。因此，當執行雷射引發熱成像製程時，可避免有機轉移層60之熱損壞或排氣現象。
    參照第11圖，電子傳輸層170可形成於電洞傳輸層140及低分子量層160上，且接著第二電極180可形成於電子傳輸層170上。電子傳輸層170可利用例如Alq、PBD、TAZ或紅螢烯藉由真空蒸鍍製程、熱蒸鍍製程、狹縫塗佈製程、旋轉塗佈製程等而形成。第二電極180可利用透明導電材料，如氧化銦鋅、氧化銦錫、氧化鋅或氧化錫藉由濺鍍製程、原子層沈積製程、真空蒸鍍製程、印刷製程等而形成。
    於範例實施例中，在形成第二電極180前，電子注入層(圖未示)更可形成於電子傳輸層170上。電子注入層可利用如Alq3、鎵複合物或PBD之低分子量材料，或者如惡二唑系聚合物之聚合物而形成。此外，根據範例實施例，保護層(圖未示)及上基板(圖未示)可形成於第二電極180上以獲得有機發光顯示裝置。
    第12圖至第14圖係為根據一些範例實施例繪示製造有機發光顯示裝置之方法之橫切面圖。實質上相同或相似於參照第8圖至第11圖之製程上詳細描述係省略。
    參照第12圖，可製備包含下基板110、形成於下基板110上之第一電極120及部份地暴露第一電極120之像素定義層130的裝置基板100。藉由實質上相同或相似於參照第2圖至第4圖所述之製程所獲得之施體基板10可配置或疊壓至裝置基板100上，以使得施體基板10之有機轉移層60可實質上面向裝置基板100之第一電極。於範例實施例中，有機轉移層60可包含有機發光顯示裝置之發射層及電洞傳輸層之材料。舉例來說，有機轉移層60可包含依序堆疊於低分子量轉移層50之初步發射層60a及初步電洞傳輸層60b。
    參照第13圖，雷射光束可依箭頭所示照射至施體基板10，以使得實質上重疊裝置基板100之像素區域I之低分子量轉移層50及有機轉移層60之一部份可轉移至於像素區域I所暴露之第一電極120及像素定義層130之側壁。因此，電洞傳輸層140a、發射層150a及低分子量層160a可依序形成於像素區域I之暴露之第一電極120上。
    參照第14圖，可執行實質上相同或相似於參照第11圖所繪示之製程。因此，電子傳輸層170可形成於像素定義層130及低分子量層160a上，而接著第二電極180可形成於電子傳輸層170上。於範例實施例中，電子注入層(圖未示)更可形成於電子傳輸層170與第二電極180之間。此外，根據範例實施例，保護層(圖未示)及上基板(圖未示)可形成於第二電極180上，以獲得有機發光顯示裝置。
    第15圖及第16圖係為根據一些範例實施例繪示製造有機發光顯示裝置之方法之橫切面圖。
    參照第15圖，可執行實質上相同或相似於參照第12圖及第13圖所繪示之製程。因此，電洞傳輸層140b、發射層150b及低分子量層160b可依序形成於像素區域I之暴露之第一電極120上及像素定義層130之側壁上。在這種情況下，電洞傳輸層140b、發射層150b及低分子量層160b可部份地填補凹槽135，此凹槽135可藉由像素定義層130之側壁與暴露之第一電極120之表面所定義。
    參照第16圖，填充凹槽135之其餘部份之電子傳輸層175可形成於低分子量層160b及像素定義層130之側壁上。因此，可形成包含以暴露之第一電極120及像素定義層130之側壁所界定之電洞傳輸層140b、發射層150b、低分子量層160b及電子傳輸層175之有機發光結構。
    電子傳輸層175可藉由雷射引發熱成像製程、噴嘴印刷製程、噴墨印刷製程、壓印製程(imprinting process)等利用例如Alq、PBD、TAZ或紅螢烯而形成。
    第二電極180可形成於像素定義層130之表面及電子傳輸層175上。此外，根據範例實施例，保護層(圖未示)及上基板(圖未示)可形成於第二電極180上，以獲得有機發光顯示裝置。
    上述係範例實施例之描述，且並非詮釋為其限制。雖然描述部份範例實施例，所屬領域具有通常知識者將輕易察知在實質上不脫離本實施例之新穎教示及優點下，許多修改於範例實施例係可行。因此，所有這樣的修改係旨在包含於如申請專利範圍所定義之本實施例之範疇內。在申請專利範圍中，功能手段附加用語係旨在涵蓋在此描述之作為實行所述功能之結構，且不僅結構相等物，也包含等效結構。因此，將理解的是，上述為各種範例實施例之說明而非詮釋為用以限制所揭露之特定範例實施例，且對所揭露之範例實施例之修改及其他範例實施例係旨在包含於申請專利範圍之範疇內。
    10．．．施體基板
    20．．．基底層
    30．．．光熱轉換層
    40．．．中間層
    40a．．．上表面
    40b．．．懸空鍵
    50．．．低分子量轉移層
    60．．．有機轉移層
    60a．．．初步發射層
    60b．．．初步電洞傳輸層
    100．．．裝置基板
    110．．．下基板
    120．．．第一電極
    130．．．像素定義層
    140、140a、140b．．．電洞傳輸層
    150、150a、150b．．．發射層
    160、160a、160b．．．低分子量層
    170、175．．．電子傳輸層
    180．．．第二電極
    135．．．凹槽
    I．．．像素區域
    II．．．非像素區域
    範例實施例將由結合附圖之下列詳細說明而更明確地了解。第1圖至第7圖表示如此處所述之非限制性範例實施例。第1圖係根據範例實施例繪示施體基板之橫切面圖；第2圖至第4圖係根據範例實施例繪示製造施體基板之方法之橫切面圖；第5圖係根據範例實施例繪示有機發光顯示裝置之橫切面圖；第6圖係根據一些範例實施例繪示有機發光顯示裝置之橫切面圖；第7圖係根據一些範例實施例繪示有機發光顯示裝置之橫切面圖；第8圖至第11圖係根據範例實施例繪示製造有機發光顯示裝置之方法之橫切面圖；第12圖至第14圖係根據一些範例實施例繪示製造有機發光顯示裝置之方法之橫切面圖；以及第15圖及第16圖係根據一些範例實施例繪示製造有機發光顯示裝置之方法之橫切面圖。
    10．．．施體基板
    20．．．基底層
    30．．．光熱轉換層
    40．．．中間層
    40a．．．上表面
    50．．．低分子量轉移層
    60．．．有機轉移層
    权利要求:
    Claims (20)
    [1] 一種施體基板，其包含︰一基底層；一光熱轉換層，係位於該基底層上；一中間層，係位於該光熱轉換層上；一低分子量轉移層，係位於該中間層上，該低分子量轉移層包含第I族之元素或第I族及第VII族之元素之化合物；以及一有機轉移層，係位於該低分子量轉移層上。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之施體基板，其中該低分子量轉移層包含選自由鋰、鈉、銫、鉀、氟化鋰、氟化鉀、氟化銫、碘化鋰、碘化鉀所組成的群組之至少其一。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之施體基板，其中該中間層包含具有親水性之ㄧ上表面，且經由一偶極作用或一靜電吸引，該低分子量轉移層係與該中間層之該上表面結合。
    [4] 一種有機發光顯示裝置，其包含︰一第一電極，係位於一下基板上；一電洞傳輸層，係位於該第一電極上；一發射層，係位於該電洞傳輸層上；一低分子量層，係位於該發射層上，該低分子量層包含第I族之元素或第I族及第VII族之元素之化合物；一電子傳輸層，係位於該低分子量層上；以及一第二電極，係位於該電子傳輸層上。
    [5] 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示裝置，其中該低分子量層包含選自由鋰、鈉、銫、鉀、氟化鋰、氟化鉀、氟化銫、碘化鋰、碘化鉀所組成的群組之至少其一。
    [6] 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示裝置，其中該低分子量層具有約3埃至約100埃之一厚度。
    [7] 一種製造施體基板之方法，其包含下列步驟︰形成一光熱轉換層於一基底層上；形成一中間層於該光熱轉換層上；於該中間層上執行一表面處理，以形成該中間層經處理之一上表面；利用一低分子量材料於該中間層經處理之該上表面上形成一低分子量轉移層，該低分子量材料包含第I族之元素或第I族及第VII族之元素之化合物；以及形成一有機轉移層於該低分子量轉移層上。
    [8] 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該低分子量轉移層包含選自由鋰、鈉、銫、鉀、氟化鋰、氟化鉀、氟化銫、碘化鋰、碘化鉀所組成的群組之至少其一。
    [9] 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該低分子量轉移層係經由一真空蒸鍍製程或一濺鍍製程而形成。
    [10] 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該表面處理包含一紫外光處理或一電漿處理，該中間層經處理之該上表面係具有親水性，且經處理之該上表面係具有懸空鍵。
    [11] 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該低分子量材料係藉由一偶極作用或一靜電吸引而與該懸空鍵結合。
    [12] 如申請專利範圍第7項所述之方法，其更包含於該表面處理前，在該中間層上執行一熱處理。
    [13] 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該熱處理係執行於約60℃至約150℃之一溫度下。
    [14] 一種製造有機發光顯示裝置之方法，其包含下列步驟︰製備包含一第一電極及部份地暴露該第一電極之一像素定義層之一裝置基板；形成包含一基底層、一光熱轉換層、一中間層、一低分子量轉移層及一有機轉移層之一施體基板，該低分子量轉移層包含第I族之元素或第I族及第VII族之元素之化合物；配置該施體基板於該裝置基板上，以使該有機轉移層面對該裝置基板之該第一電極；藉由於該施體基板上照射一雷射光束以轉移該低分子量轉移層及該有機轉移層之一部份至暴露之該第一電極上，而形成依序地堆疊於暴露之該第一電極上之一有機層及一低分子量層；形成一電子傳輸層於該低分子量層上；以及形成一第二電極於該電子傳輸層上。
    [15] 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該中間層包含具有親水性之一上表面，且藉由一偶極作用或一靜電吸引，該低分子量轉移層係與該中間層之該上表面結合。
    [16] 如申請專利範圍第14項所述之方法，其更包含於製備該裝置基板後，在該像素定義層及暴露之該第一電極上形成一電洞傳輸層，其中該有機層係形成於該電洞傳輸層之一部份上及該像素定義層之一側壁上；以及該有機層對應至該有機發光顯示裝置之一發射層。
    [17] 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該有機轉移層包含形成於該低分子量轉移層上之一發射層以及形成於該發射層上之一電洞傳輸層。
    [18] 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該有機層係形成於暴露之該第一電極上及該像素定義層之一側壁上，且該低分子量層係形成於該有機層上及該像素定義層之該側壁上。
    [19] 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該電子傳輸層係藉由一雷射引發熱成像製程、一噴嘴印刷製程、一噴墨印刷製程或一壓印製程而形成。
    [20] 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該有機層、該低分子量層及該電子傳輸層係以藉由暴露之該第一電極及該像素定義層之一側壁所定義之一凹槽所界定。
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    ??10-2011-0085652||2011-08-26||
    KR1020110085652A|KR102050029B1|2011-08-26|2011-08-26|도너 기판, 도너 기판의 제조 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법|
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